ASML планира широко приложение на технологията High‑NA EUV още през следващата година за производство на чипове със размер на транзисторите от 1,4 nm и по-малки.

Кратко съдържание

Новата фаза на миниатюризацията на микросхемите изисква преминаване към по-напреднали методи литография. През следващите два години индустрията трябва да стартира производство на чипове, използвайки оборудване от клас High‑NA EUV, което позволява достигане до размери до 8 нм за едно преминаване и отваря път към технологични процеси от 1,4 нм и по-малко от 10 нм (DRAM).

1. Технологичните възможности на High‑NA EUV
Параметър | Стойност
Числова апертура (NA) | 0,55
Минимален размер за едно преминаване | ≤ 8 нм
Възможни технологични процеси | 1,4 нм (интегрални микросхеми), < 10 нм (DRAM)

Тези характеристики правят оборудването ASML Twinscan EXE:5200B и подобните решения критично важни за бъдещите микроелектронни технологии.

2. Ключови играчи
Компания | Статус на внедряване | Коментар
ASML | Производител High‑NA EUV | Първите клиенти: Intel, Samsung, SK Hynix
TSMC | Не е готов за масово използване | Цената на една система – 380 млн USD; планира отказ от чипове 1,4 нм
Intel | В декември 2023 г. въведе Twinscan EXE:5200B | Подготовка за издаване на технология 14A и съпътстващо оборудване
Samsung Electronics | Получи първия скенер в декември 2023; вторият – в това полугодишие | Планира да го използва за Exynos 2600 (2 нм) и бъдещите Tesla‑процесори
SK Hynix | Осъществява High‑NA EUV от септември 2023 | Вече използва обичайна EUV литография в DRAM (10 нм), планира минимум пет слоя EUV за 6‑то поколение
Micron Technology | Все още не е определено кога ще внедри | Потенциални планове за High‑NA EUV
Rapidus (Япония) | Осъществява технология 2 нм; планира 1,4 нм през 2029 | Към 2027 г. трябва да стартира масово производство на 2‑нм чипове в Хоккайдо

3. Икономически аспекти
* Цената на оборудването – една система High‑NA EUV струва около 380 млн USD.

* Преминаването към по-скъпо оборудване увеличава себестойността на продукцията, което в крайна сметка се отразява върху потребителите.

* Затова големите производители (TSMC, Rapidus) проявяват предпазливост и планират внедряване постепенно.

4. Очаквани срокове
Нови литографични скенери ASML за масово производство на най-напреднала полупроводникова продукция ще започнат активно да се използват през 2027–2028 г. До тогава компаниите постепенно ще настройват своите производствени линии, интегрирайки High‑NA EUV в съществуващите технологични процеси.

Извод
Преминаването към High‑NA EUV е ключовата стъпка за достигане на размери до 1,4 нм и по-компактни DRAM. Най-големите световни играчи вече започнаха подготовителни работи, но масовото внедряване се очаква само след няколко години поради високите разходи и необходимостта от адаптиране на производствените вериги.