Япония създаде 1-нанометрови полупроводникови нанопроводи, почти готови като каналите на транзисторите

Япония създаде 1-нанометрови полупроводникови нанопроводи, почти готови като каналите на транзисторите

32 hardware

Новина за създаването на изключително тънки полупроводникови нанотубки от MoS₂

*Кратко:*

Японски учени успешно отгледаха едностранни трубки от дисулфид на молибден (MoS₂) с диаметър около 1 нм – в сто хиляди пъти по-тънка от човешка коса. Това е първият случай, когато такива структури се получават от неорганичен полупроводник, а не от въглерод, и вече могат да служат като „канали“ за бъдещи транзистори с затвор от всички страни (gate‑all‑around).

Какво точно е било направено?
1. Отглеждане в „шапка»

- Като форма се използва нанотубка от нитрид на бор (BN).

- BN едновременно служи като изолатор и контейнер, вътре в който расте MoS₂.

2. Процесът на синтез

- След серия от нагревания в BN‑шапката се образува почти идеална еднослойна трубка MoS₂.

- Получената структура има диаметър ~1 нм и е обградена с изолиращ слой BN – фактически готов канал за транзистор.

3. Потенциално приложение

- Тези нанотубки могат да станат основа за транзистори със затвор, който обхваща канала от всички страни, което в момента се разработва активно от водещите производители на чипове.

Защо това е важно?
Тип на тубката Диаметър (≈) Многослойни въглеродни 10 нм Еднослойни въглеродни 5 нм MoS₂‑тубка 1 нм
- Тънкост: MoS₂‑тубките са в сто хиляди пъти по-тънки от косата, което ги прави едни от най-малките полупроводникови структури.

- Нови възможности: Изследователите твърдят, че методът може да се приложи към други полупроводници и дори суперпроводящи материали, разширявайки спектъра на технологиите отвъд въглеродните нанотубки и графен.

Какво следва?
*Краткосрочна цел:*

Увеличаване на дължината на тубката от ~1 нм до 1 µm – в хиляда пъти. Това ще позволи използването им в практични устройства, където се изисква по-дълъг канал за транзистор.

Резултат:

Създаването на MoS₂‑нанотубки с диаметър 1 нм отваря нов път към миниатюризацията на полупроводниковите компоненти и може да стане ключов елемент в бъдещите високопроизводителни микросхеми.

Коментари (0)

Споделете мнението си — моля, бъдете учтиви и по темата.

Все още няма коментари. Оставете коментар и споделете мнението си!

За да оставите коментар, моля, влезте в профила си.

Влезте, за да коментирате