Интел представи технологията 18A‑P: по-бърза, енергийно ефективна и с усъвършенствано охлаждане

Интел засилва линейката си от чипове 18 А и подготвя нова версия – 18 А‑P

Компанията Интел продължава масовото производство на микросхеми, изградени по технологичния процес 18 А (1,8 нм). В същото време се работи върху подобрената версия на този процес – 18 А‑P, която трябва да излезе на пазара в близките квартали.

Какво е ново в 18 А‑P?
ПараметърОписаниеТранзисториВъведени са два нови типа RibbonFET с оградена затворка. Те позволяват повишаване на честотите на критичните блокове и едновременно намаляване на енергопотреблението в по-малко изискващите участъци.Контрол на вариативносттаПодобрено управление на разпръснатостта на параметрите на кристалите: отклонението между „бързи“ и „бавни“ се намали, а дисперсията около центъра – освен плочата – намаля.Прагово напрежениеДобавени са повече варианти на прагова стойност (от 4 до над 5 двойки), което повишава точността при сортиране на кристалите и увеличава частта от изделия, удовлетворяващи спецификациите.ТоплоизлъчванеТеплопроводимостта е подобрена с около 50 %. Това позволява компенсация за по-високата плътност на мощността на транзисторите с оградена затворка и намалява деградацията при продължително загряване.Енергопотребление / производителностСравнено с базовия 18 А, чиповете могат или да повишат ефективността с 9 % при същата енергия, или да намалят консумираната мощност до 18 %, запазвайки предишната производителност и сложност.

Как това изглежда в практиката
- Запазени геометрични параметри: стъпка на затвора (50 нм) и височини на клетките (180 нм / 160 нм) остават същите, което позволява прехвърляне на съществуващи дизайни от 18 А към 18 А‑P без кардинални промени. Въпреки това за постигане на максимална ефективност все още е необходима допълнителна оптимизация на архитектурата.

- Оптимизация на металните линии: променени са съпротивлението и капацитета на металите, което влияе върху скоростта на сигнала, енергопотреблението и закъсненията (конкретни цифри все още не са разкривани).

- Подобрения в надеждността: по-стабилно минимално работно напрежение Vmin за логиката и SRAM повишава качеството на работа при ниски токове.

Защо това е важно
1. За потребителски устройства – повишаване на производителността без увеличение на топлинното излъчване прави чиповете по-привлекателни за смартфони, лаптопи и други преносими гаджети.

2. За сървъри и дата‑центрове – подобреното топлоизлъчване и устойчивост към високи напрежения повишават надеждността при продължителна работа под натоварване.

3. Икономически ефект – растежът на частта от качествен кремнезъбен материал от една плоча води до увеличение на производството на годни продукти, което намалява себестойността на чиповете.

Резултат
Интел продължава да развива своя 18 А процес, като едновременно подготвя по-напреднала версия 18 А‑P. Новите транзистори RibbonFET, усиленият контрол на качеството и подобрените топлинни характеристики обещават значителен прирост в ефективността и надеждността, което прави тази технология привлекателна както за потребителския, така и за професионалния пазар.