Интел заедно със SoftBank планира да стартира замяна на паметта HBM още през 2029 г.

SoftBank и Intel планират да въведат на пазара нова памет Z‑Angle Memory (ZAM) до 2029 г.

Как се реализира
Отговорни компании: SoftBank – чрез дъщерната фирма Saimemory, която ще се занимава с разработка и продажби. Intel ще предостави технологии за производство и опаковане. Участие на други играчи: Fujitsu от Япония участва в проекта.

Защо е нужна Z‑Angle Memory
* Проблеми със съществуващата HBM:
- Много скъпа и консумира много енергия.
- При увеличаване на обемите производство на HBM страда класическият DRAM от недостиг на ресурси.
* Целта на Z‑AM – да предложи по-икономична, енергоефективна алтернатива, запазвайки висока плътност на данни.

Технически особености
Параметър | Описание
---|---
Структура | Стек от няколко слоя микросхеми (подобно HBM), но с по-напреднали методи за опаковане и архитектура.
Плътност | Удельна капацитет на стека е 2‑3 пъти по-висок от HBM.
Енергопотребление | Намалено приблизително вдвое спрямо HBM.
Цена на производство | Очаква се или запазване на текущото ниво, или намаление до 40 %.

Технология за опаковане
* Intel предлага технология NGDB (Next‑Generation Die Bonding), която увеличава енергийната ефективност на паметта ZAM в сравнение с HBM.
* В прототипите вече са реализирани осем слоя DRAM върху базовия кристал.

План за стартиране
1. Промежуточни прототипи – демонстрация до края на март 2028 г.
2. Масово производство – начало в рамките на следващите 12 месеца след презентацията, т.е. около средата на 2029 г.

Така SoftBank и Intel се стремят бързо да мащабират производството на Z‑Angle Memory, осигурявайки по-достъпен и енергоефективен вариант за бъдещи високопроизводителни системи.