Китай планира да увеличи дялът на внатрешното производство на микрочипове до 70 % до следващата година.

Китай засилва собствената си полупроводникова индустрия

От началото на 2020-те китайските фабрики за производство на микросхеми не могат да използват най‑съвременната чуждестранна техника. Въпреки това правителството активно подкрепя развитието на вътрешния сектор, поставяйки конкретни цели по заместване на импорт.

* Цели за локализация

- През следващата година дялът от китайската техника в производството на „зрели“ технологии (т.е. такива, които вече се произвеждат масово) трябва да достигне 70 %.

- Дори сега новите фабрики са задължени да разполагат минимум със 50 % местна техника; колкото по‑голяма е локализацията, толкова по‑големи субсидии получава проекта.

* Технологичен напредък

- За производството на чипове с канални размери 14 нм китайските компании планират да преминат към собствена техника.

- В литографската индустрия наблюдава се значителен растеж в активността на отечествени фирми:

* SMEE започва проверка на експозиционната техника, базирана на лазери с дължина на вълната 28 нм (с използване на фторид на аргон).

* Naura Technology е започнала масово производство на системи за травление за 28‑нм чипове.

* AMEC работи по сертифицирането на своята техника за производството на 14‑нм микросхеми в площадките на SMIC.

* EUV скенери и бъдещи планове

- Към края на миналата година в Китай беше създаден прототип на литографски скенер клас EUV, използващ компоненти от бивши холандски ASML‑скенери.

- Производството на чипове с помощта на такава техника е планирано за 2028 г., въпреки че по‑реалистичният срок е края на десетiletия период.

- Валидацията на китайската техника често се извършва по-бързо от западните аналози; понякога всичко завършва в рамките на една година.

* Софтуер

- Освен хардуера, Китай активно заменя чуждестранни CAD/EDA пакети с собствени решения, които стават неотменна част от производствената верига.

Така правителството поставя пред индустрията конкретни цифри за локализация и едновременно създава условия за бързо внедряване на нови технологии, включително EUV скенери и 14‑нм литография.