Семсунг представи на Computex 2026 прототипа на паметта HBM5 Stack

Семсунг Електроникс — първи стъпки към HBM5

Наскоро Семсунг Електроникс обяви началото на доставките на образци от паметта HBM4E, но едновременно с това активно разработва следващата генерация – HBM5. На изложението Computex 2025 компанията показа само голям макет на чипа HBM5, за да даде общо представяне за неговата структура. Вече се вижда, че технологията ще бъде сложна и изискваща.

Ключови детайли на разработката
Параметър | Какво прави Семсунг | Базов кристал | Самостоятелно производство на 2‑nm технологичен процес | Брой слоеве DRAM | Транзистори GAA | План за използване в 2‑nm чипове | Технологичен процес под 1 nm | Увереност
---|---|---|---|---|---|---|---|---
Базов кристал | Самостоятелно производство на 2‑nm технологичен процес | От 12 до 20 слоя (технология клас 1c) | Транзистори GAA | Плануват се в 2‑nm чипове | Компанията е уверена, че ще усвои тази технология в бъдеще

Техническият директор на подразделението Семсунг Електроникс Сон Чжэ Хёк (Song Jaehyuk) потвърди участието на компанията в разработката и внедряването на тези технологии. Наличието на контрактно подразделение позволява да се удовлетворят изискванията на най-строги клиенти, включително Nvidia.

Сравнение с HBM4E
* HBM4E използва 4‑nm базов кристал и технологичен процес 1c за производство на DRAM‑чипове, формиращи слоя памет.

* HBM5 ще предложи:

* По-тънък кристал (2 nm) и по-гъвкав брой слоеве (12–20).
* Heat Path Block (HPB) – канал за топлоотвод за ефективно охлаждане.
* Увеличена скорост на обмена данни благодарение на подобрена архитектура.

Технологията HPB вече е отлажена при HBM4E, и Семсунг планира да използва напреднали методи за отвеждане на топлина за повишаване на стабилността на паметта. Масовото производство на HBM5 е планирано от 2028 г., а в рамките на HBM5E кристалите DRAM ще се произвеждат по по-напреднал технологичен процес 1d.

Какво правят конкурентите
* SK hynix използва подобна технология за охлаждане – iHBM. Това означава, че решението на Семсунг не е уникално в план на топлоотвод.

* SK hynix също внедрява 2‑nm чипове в рамките на HBM5 и планира масово производство с използване на iHBM.

Резултат
Семсунг Електроникс вече разработва HBM5 базиран на 2‑nm технологичен процес, предвиждайки до 20 слоя DRAM и иновативен топлоотвод HPB. Масовото производство е планирано за 2028 г., а конкуренти като SK hynix прилагат подобни решения (iHBM). В цялост Семсунг демонстрира увереност в усвояването на технологии под 1 nm и готовност да удовлетворява изискванията на най-големите клиенти.