Същевременно Samsung и SK Hynix вложиха почти милиард долара в разрастването на производството на памет в Китай през миналата година

Как южнокорейските гиганти на паметта задържат достъп до американско оборудване и развиват производство в Китай

По време на президентството на Джо Байден властите от САЩ се опитваха да ограничат възможността за разширяване на заводите на южнокорейските производители в Китай. Тези фабрики са ключови за доставките на микросхеми памет към световния пазар. Въпреки това Samsung и SK Hynix успяха да запазят достъп до американско оборудване, като едновременно с това инвестираха в модернизацията на китайските си предприятия.

1. Samsung Electronics
Показател – Данни – Инвестиции в Сян (2023) $344 млн – Ръст спрямо 2022 г. +67,5 % – Роля на завода: Единият чуждестранен обект на Samsung за NAND‑памети; осигурява до 40 % от световния объём продукция
История на инвестициите: След вложението от $464 млн през 2019 г. компанията не извършваше големи финансирания четири години. През 2024 г. беше отделено $184 млн, а в миналата година сумата се увеличи почти два пъти.
Така Сян стана стратегически център за Samsung, особено с оглед на растежа на търсенето на памет през епохата на изкуствения интелект.

2. SK Hynix
Показател – Данни – Общи инвестиции в Китай (2023) над $663 млн – Заводи: DRAM‑завод в Уси; 3D‑NAND‑фабрика в Даляне, закупена от Intel през 2022 г.
Инвестиции в Уси (2023) удвоени до $190 млн – Инвестиции в Далайн (2023) $293 млн (получо път и половина повече от 2024‑г.) – Икономическа тежест ≈1 трилион южнокорейски вон – значителна сума за компанията
SK Hynix активно разширява производството на DRAM и 3D‑NAND, за да задоволи растящото търсене от ИИ и облачни услуги.

3. Технологични планове
Компания – Планируем продукт – Къде ще се произвежда
Samsung – 236‑слойна 3D‑NAND (превключване от 128‑слойна) – Китай, Сян
Samsung – 400‑слойна 3D‑NAND – Южна Корея
SK Hynix – Преход на DRAM‑завода в Уси към четвърто поколение 10‑нм (1a) – Уси, Китай

- Samsung планира да стартира по-напреднала памет от 236 слоя в Китай, което ще й позволи да остане конкурентоспособна въпреки технологичните ограничения на страната.
- SK Hynix цели обновяване на процеса на DRAM‑завода в Уси до 10‑нм (1a), осигуряващо ефективно производство на DDR5. Заводът вече отговаря за над 30 % от световния обем DRAM на компанията.

Резултат
Въпреки усилията на САЩ да ограничат достъпа на южнокорейските производители до американско оборудване, Samsung и SK Hynix продължават да инвестираха стотици милиони долари в Китай. Това им позволява да запазят конкурентоспособността, да разширяват производството на NAND‑памет и DRAM и да се подготвят за бъдещия растеж на търсенето, особено в областта на изкуствения интелект.